Реклама
Облако тегов
- ГЭС, Оперативная из военных за на, Россию, США, Сирия, армия, были, газ, для, из, как, марс, на, на Сирии, на что США по для, на что из по этом, на что море Черном НАТО, на что по как это, не, не что для как от, не что по из это, не что по это как, не что потока «Северного «Северный, не что это по как, нефтегаз, нефть, по, природа, против, снарядов, того, том, тэк, что, что заявил, что не США это по, что не том, что не это по как, это, этом
Показать все теги
Популярное
-
Режим КТО введён в Дагестане: проведена эвакуация граждан (ВИДЕО)
Спецназ ФСБ заблокировал террористов в квартирах -
Новые кадры с места проведения спецоперации в Дагестане: боевики выявлены после теракта 22 марта (ВИДЕО)
Как сообщала «Русская Весна», в результате -
«Связка прочна как никогда»: что Россия и Китай готовят Западу
Глава российского МИД Сергей Лавров завершил -
Переход на российское законодательство на новых территориях происходит непросто, — общественница из ДНР (ФОТО, ВИДЕО)
Переходный период не самый лёгкий, хоть он и -
Инспекция в Алтайском крае: Шойгу потребовал привлечь к ответственности виновных в срыве сроков в сфере ОПК
При этом объём выпускаемой продукции на одном из
В виде календаря
В виде списка
Архив записей
0
Южнокорейская корпорация Samsung начинает производство новых флеш-карт на 256 гигабайт для смартфонов. Сборка началась благодаря новой платформе Universal Flash Storage, говорится в официальном сообщении руководства корпорации.
Разработчики компании Samsung начали создание нового типа накопителей для мобильных телефонов общей емкостью в 256 гигабайт. Сообщается, что проектирование нового типа карт памяти произошло благодаря новому типу платформы Universal Flash Storage, скорость чтения которого составит как минимум 850 мегабайт в секунду, а скорость записи – 250 Мб/сек, что в три раза быстрее, чем любая существующая на сегодняшний день карта microSD.
Разработка, в свою очередь, стала доступной благодаря платформе V-NAND, представляющей собой трехмерную память с высокой скоростью чтения, в связи с чем чип в состоянии выполнять до 45 тысяч операций в секунду. Новые телефоны от Samsung, оснащенные технологией Universal Flash Storage, помогут просматривать фильмы в качестве Ultra HD без задержек и вмещать в себя 47 картин в качестве Full HD. В будущем благодаря совместной работе флеш-карт с объемом в 256 Гб и протокола USB 3.0 появится возможность передавать файл размером в 5 гигабайт всего за 12 секунд.
Смотрите также:
Samsung начинает производство флеш-карт на 256 Гб
- Опубликовал:
- Дата: 27-02-2016, 06:30
- Категория: В Мире » Samsung начинает производство флеш-карт на 256 Гб
Южнокорейская корпорация Samsung начинает производство новых флеш-карт на 256 гигабайт для смартфонов. Сборка началась благодаря новой платформе Universal Flash Storage, говорится в официальном сообщении руководства корпорации.
Разработчики компании Samsung начали создание нового типа накопителей для мобильных телефонов общей емкостью в 256 гигабайт. Сообщается, что проектирование нового типа карт памяти произошло благодаря новому типу платформы Universal Flash Storage, скорость чтения которого составит как минимум 850 мегабайт в секунду, а скорость записи – 250 Мб/сек, что в три раза быстрее, чем любая существующая на сегодняшний день карта microSD.
Разработка, в свою очередь, стала доступной благодаря платформе V-NAND, представляющей собой трехмерную память с высокой скоростью чтения, в связи с чем чип в состоянии выполнять до 45 тысяч операций в секунду. Новые телефоны от Samsung, оснащенные технологией Universal Flash Storage, помогут просматривать фильмы в качестве Ultra HD без задержек и вмещать в себя 47 картин в качестве Full HD. В будущем благодаря совместной работе флеш-карт с объемом в 256 Гб и протокола USB 3.0 появится возможность передавать файл размером в 5 гигабайт всего за 12 секунд.
Смотрите также:
Также рекомендуем:
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.